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一、定義： 可控硅整流器(Siliconcontrolled rectifier)是可控硅整流器的簡稱，是一種四層大功率半導體器件，有三個PN結(jié)。通常兩個晶閘管反向連接。它的作用不僅僅是整流，還可以快速接通或斷開無觸點開關(guān)，實現(xiàn)DC變交流電的逆變，一種頻率的交流電變另一種頻率的交流電等等。和其他半導體器件一樣，可控硅具有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點，半導體技術(shù)隨著可控硅調(diào)光電源的出現(xiàn)，從弱電領(lǐng)域進入強電領(lǐng)域，成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通、軍事科研、商業(yè)、民用電器競相爭奪的組件。

從SCR的外觀來看，有螺旋型、扁平型、扁平型三種。螺旋應(yīng)用很多。SCR有三個電極——陽極(A)、陰極(C)和控制極(G)。管芯是由P型導體和N型導體組成的四層結(jié)構(gòu)，有三個PN結(jié)，與只有一個PN結(jié)的硅整流二極管在結(jié)構(gòu)上有很大區(qū)別。SCR的四層結(jié)構(gòu)及其控制電極的引入，奠定了其“以小控大”的優(yōu)良控制特性。應(yīng)用SCR時，只要在控制極上施加小電流或電壓，就可以控制大的陽極電流或電壓。目前可以制造出幾百安培甚至幾千安培電流容量的可控硅器件。一般5安培以下的晶閘管稱為小功率晶閘管，50安培以上的晶閘管稱為大功率晶閘管。

我們可以把從陰極算起的第一層、第二層、第三層看成一個NPN晶體管，而第二層、第三層、第四層構(gòu)成另一個PNP晶體管。第二層和第三層重疊，由兩個管道共享?？梢援嫵鰣D1的等效電路圖。當在陽極和陰極之間施加直流電壓E，在控制電極G和陰極C之間輸入正觸發(fā)信號(相當于BG2的基極-發(fā)射極間隔)時，BG2會產(chǎn)生基極電流Ib2，放大后BG2會有一個放大β2倍的集電極電流IC2。

二、工作原理 簡單來說就是將輸?電壓的波形通過導通?切波之后，產(chǎn)??個切向的輸出電壓波形。應(yīng)?切向的原理，可減少輸出電壓的有效值，以此來降低普通負載(電阻負載)的功率。 三、應(yīng)用 說了這么多，可控硅調(diào)光自然有它的優(yōu)勢，所以能在調(diào)光行業(yè)稱霸這么久。它來自白熾燈時代，技術(shù)成熟穩(wěn)定，由于和鹵素燈、白熾燈等光源可以無縫結(jié)合，所以占據(jù)了調(diào)光應(yīng)用很大的市場。而且使用可控硅調(diào)光技術(shù)，無需布線，只需更換led燈即可。所以安裝起來就節(jié)省了很多成本，缺點當然也很明顯，有時會有一定的干擾和不穩(wěn)定的情況出現(xiàn)。
總之，自己家里如果有可控硅線路，換燈就可以啦。