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近年來，手機(jī)快充的普及給人們工作和生活帶來了極大的方便，隨著快充技術(shù)的迅速發(fā)展，更快速度、更小體積的充電器逐漸成為人們的一種新需求，而對(duì)于各大充電器廠商來說，大功率、高效率、小體積、安全穩(wěn)定的高功率密度快充方案將成為這場(chǎng)戰(zhàn)役中的制勝關(guān)鍵。在傳統(tǒng)以及準(zhǔn)諧振反激形式應(yīng)用中，由于MOS導(dǎo)通時(shí)的電壓較高（基本都在150V以上），特別是高壓的輸入條件下，會(huì)有較高的開關(guān)損耗及DI/Dt造成的EMI干擾，影響系統(tǒng)效率及EMI特性。直到ZVS反激式快充方案的出現(xiàn)，很好的解決了這些痛點(diǎn)。為了適應(yīng)快充市場(chǎng)發(fā)展新需求，亞成微通過不斷研究改進(jìn)，成功推出了ZVS反激式架構(gòu)的開關(guān)電源控制芯片RM6801X...

強(qiáng)制ZVS反激式電源控制芯片RM6801X

高效率、大功率

■專有ZVS技術(shù)降低MOSFET開關(guān)損耗，改善EMI特性；
■支持CCM/QR混合模式；
■支持最大140KHz工作頻率；
■兼顧E-Mode GaN FET及超結(jié)MOSFET（COOLMOS）驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，可直接驅(qū)動(dòng)E-Mode GaN功率器件，省去外置驅(qū)動(dòng)器件。

超低待機(jī)功耗

■ 內(nèi)置700V高壓?jiǎn)?dòng)；
■ 集成X-CAP放電功能；
■ 低啟動(dòng)電流（2uA），低工作電流；
■ 待機(jī)功耗<65mW。

優(yōu)異的性能

■ 內(nèi)置特有抖頻技術(shù)改善EMI；
■ Burst Mode去噪音；
■ 集成斜坡補(bǔ)償及ZVS高低壓補(bǔ)償功能；
■ 集成AC輸入Brown out/in功能；
■ 外置OVP保護(hù)，具有輸出肖特基短路保護(hù)/CS短路保護(hù)；
■ 內(nèi)置OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO等多種保護(hù)。 原理圖

產(chǎn)品DEMO（尺寸：55mm×30mm×25mm）

能效測(cè)試

待機(jī)功耗

ZVS高低壓補(bǔ)償及實(shí)測(cè)波形